Proces proizvodnje anti reflektivnog filma

Tehnološki proces
Navedite materijale za rast i izvore plina: pružanje materijala za rast za anti reflektivni film, poput sio u nekim realizacijama, a pružajući izvore plina koji odgovaraju materijalima za rast, kao što su SIH ₄, n ₂ o i n ₂ kombinacije izvora plina .
Slaba protiv refleksije: Koristite isti materijal za rast na slijeda dva sloja refleksije filma protiv refleksije na sloju supstrata, SI sloj i apsorpcioni sloj u nizu, uzimanjem dvoslojnog sloja protiv refleksije (prvi sloj protiv refleksije i drugog sloja refleksije) kao primjer, formira se Proces rasta epitacije (kao što je PLASMA poboljšana metoda zalogajke pare PECVD) . Specifični koraci su sljedeći:
Obrada supstrata: Nakon procesa čišćenja poluvodiča na sloju podloge postavite sloj supstrata na CVD opremu za taloženje .
Postavke parametara opreme: Upravljajte temperaturu gornje elektrode uređaja za diskografsku ulogu na 200-300 stepen i donju temperaturu elektrode u 250-350 stepen .
Rast prvog reflektorskog sloja: Prilagodite prvu taložnu parametre opreme za talovanje CVD-a, uključujući prvu količinu protoka SIH ₄, n ₂, prvog tlaka za tanki film, ili bilo koja kombinacija za rast prvog reflektorskog sloja s rastom asortimana od debljine od 10-200 NM-a i raspona refrakcije od 1.4-1.71.
Rast drugog sloja protiv refleksije: Podesite drugu taložinu opremu za talovanje CVD-a, uključujući drugu količinu protoka SIH ₄, i N ₂, drugi termin za tanko film, ili bilo koja kombinacija, za rast drugog sloja za borbu protiv refleksije, sa asortimanom od strane debljine 10-200 NM i asortiman za indeks refraktivnosti od 1.4-1.71.

Tehnološke prednosti
Korištenjem istog materijala za rast može postići isti efekt protiv refleksije u usporedbi s složenim filmovima protiv refleksije različitih materijala, smanjujući vrste korištenih teških preparata i radne površine zbog skladištenja i upotrebe izvora plina tokom procesa pripreme .

Proces proizvodnje Hybrid SIO ₂ / TIO ₂ Anti Reflectivan film

Tehnološki proces
Priprema supstrata: Odaberite prozirne podloge poput stakla, organskog stakla, polimidnog filma, itd.
Priprema filmova: TetraethoxySilan (TETS) i tetrabutil Titanat (TBT) dodaju se u etanol koji sadrži NH ₄ oh u određenom udjelu, a reakcija se drži za radno vrijeme za postizanje prozirnog sol-gel sistema .
Premaz i očvršćivanje: pripremljeni Sol Gel sistem se ravnomerno obnovim na prozirnom supstratu, i sheme za prskanje, četkanje i druge sheme, hibridni sio ₂ / tio ₂ filmski prekursor postavljen je u rernu za liječenje i žarkivanje, formiranjem višeslojne strukture .
Kružni premaz: Ponovite postupak premaza i očvršćivanja dok se ne dobije željeni anti reflektirajuća efekta . različita vremena premaza i sekvence će uticati na performanse antirektivnih filmova, a potrebna su istraživanja i optimizacija .
Površinski tretman: Za povećanje izdržljivosti i stabilnosti anti reflektirajućeg filma, na površini anti reflektirajućeg filma može se oblikovati sloj hidrofilnog i hidrofobnog polimera.

Proces proizvodnje infracrvenog anti reflektivnog filma
Tehnološki proces
Infracrveni film za razmišljanje zasnovan je na silicijum i obloženim filmovima sa obje strane supstrata. . Struktura sustava za borbu protiv refleksije je jedna za (HL). SI predstavljaju SI osnovnu strukturu, a vrijednost s je cijeli broj između 3-6. SI sloja je u susjednoj Supstrat, a Sloj sio nalazi se na površini . obrazac za oblaganje na supstrat, sa najudaljenim slojem, koji nudi dodatni zaštitni sloj, a ne može smanjiti niži indeks refrakcije i daljnje povećati infracrvenu prenošenje .

Proces proizvodnje visokotemperaturnog otporan na CO ₂ laserski anti reflektivni film
Tehnološki proces
Prednost materijala: Odvojeni tretman prije topljenja vrši se na ytrium fluorid, fluoridom kalcijum ytrium, i filmskim filmom za uklanjanje nečistoća unutar filmskih materijala .
Sloj zalaganja: Prvi sloj fluorida ytrium kalcijum, sloj cinka, i drugi sloj fluorida, i sloj selenita, s debljinom od 3 ± 0. 1mm vakuumskim isparavanjem svakog sloja je preko 95% površine supstrata Sloj . Zahtevi za fizičku debljinu za svaki sloj su sljedeći: Fizička debljina prvog sloja fluorida YTtrium je 95-100 nanometri; Fizička debljina sloja fluorida ytterbium kalcijuma je 860-870 nanometri; Fizička debljina sloja od cink selenida je 240-250 nanometri; Fizička debljina drugog sloja fluorida ytijuma je 95-100 nanometri.
 

Tehnološke prednosti
Pripremljena anti refleksija ima jednostavnu strukturu i izvrstan dizajn . kombinacija s visokim temperaturom, visokim prenosom, komplementarnim slojevima membranskih slojeva, a materijali koji se koriste u svakom sloju nisu radioaktivni, što ne bi bilo neaktivno, koje ne bile oštećene operaterima i okruženje .